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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4V
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输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
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功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4V
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输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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漏源电压：30V
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阈值电压：1V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：126mΩ@1A，4V
栅极电荷：1.5nC@4V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
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类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
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输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1W
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类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
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类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
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输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
导通电阻：123mΩ@1A，4V
输入电容：123pF@15V
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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