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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4800
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
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功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO6400
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功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
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连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
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功率：2W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
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输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
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输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
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功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@6.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4800
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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