品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316GTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9362TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9358TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7316QTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4813
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4807
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9362TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9362TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9358TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J66TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4807
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J62TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3163,"17+":3306,"21+":907,"22+":3801,"23+":7329,"MI+":2187}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7316QTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: