采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G48N03D3
功率：45W
阈值电压：1.6V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
功率：830mW€69W
阈值电压：2.1V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.975nF@15V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4080-ZK-E1-AY
功率：29W€1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@12V
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R803PL，LQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@24A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.1V@200μA
连续漏极电流：48A
功率：830mW€69W
输入电容：1.975nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
