采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
