品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3114G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:6.15nF@15V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@15V
导通电阻:1.35mΩ@10V,85A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: