采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3DT
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87333Q3D
工作温度：125℃
功率：6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：662pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：14.3mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
