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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0500NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
