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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4630
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.45V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：5A€7A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
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类型：1个N沟道+1个P沟道
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类型：1个N沟道+1个P沟道
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功率：2W
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类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
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类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
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规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
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输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
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连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
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规格型号(MPN)：AO4630
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功率：2W
阈值电压：1.45V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：5A€7A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO4630
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功率：2W
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类型：N和P沟道互补型
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类型：1个N沟道+1个P沟道
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连续漏极电流：5A€7A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
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导通电阻：28mΩ@7A，10V
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连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
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导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
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功率：2W
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规格型号(MPN)：AO4630
输入电容：670pF@15V
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漏源电压：30V
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类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
连续漏极电流：5A€7A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
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漏源电压：30V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：5A€7A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：5A€7A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：28mΩ@7A，10V
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功率：2W
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栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
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栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：320pF@10V€365pF@10V
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类型：1个N沟道+1个P沟道
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工作温度：-55℃~150℃
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导通电阻：28mΩ@7A，10V
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