品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKVYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.81W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:12A€17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@15V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2805}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC150N03LDGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL6372TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:8.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.9mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3035LWN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:399pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLHS6376TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:63mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1832}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO350N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@6µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6K3TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€4.3W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:15.7A€100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4800
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W€16.7W
阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流:17A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:6A€8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: