品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
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品牌:东芝(TOSHIBA)
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
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输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
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品牌:VISHAY
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
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输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
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功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
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输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
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工作温度:150℃
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
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规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
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输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
输入电容:180pF@15V
工作温度:150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.6V@1mA
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
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工作温度:150℃
连续漏极电流:1.6A
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类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
输入电容:180pF@15V
工作温度:150℃
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.6V@1mA
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
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