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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008NBKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
