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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
阈值电压：3V@250μA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
