品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
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连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
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类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
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类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
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输入电容:36.3pF@5V
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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ECCN:EAR99
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导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
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类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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