品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3B+":15000,"3C+":5000,"3D+":5000,"3F+":20000,"3G+":140000,"3H+":100000,"3J+":40000}
包装规格(MPQ):524psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M8DNS-00#J5
功率:20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:2.59nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":50000,"16+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03E0DNS-00#J5
功率:20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@4.5V
输入电容:3.05nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS200P03YB
功率:20W
阈值电压:1.3V@250μA
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":50000,"16+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03E0DNS-00#J5
功率:20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@4.5V
输入电容:3.05nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN4832
功率:20W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:15nC
输入电容:750pF
连续漏极电流:35A
类型:2个N沟道
反向传输电容:70pF
导通电阻:11mΩ@10V,8.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G10P03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:27nC@4.5V
输入电容:1.55nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3B+":15000,"3C+":5000,"3D+":5000,"3F+":20000,"3G+":140000,"3H+":100000,"3J+":40000}
包装规格(MPQ):524psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M8DNS-00#J5
功率:20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:2.59nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3B+":15000,"3C+":5000,"3D+":5000,"3F+":20000,"3G+":140000,"3H+":100000,"3J+":40000}
包装规格(MPQ):524psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M8DNS-00#J5
功率:20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:2.59nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D3
功率:20W
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG30N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: