品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":451,"16+":461}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N03S4L03AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L-02
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L02ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2480}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50N03S207GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":52515,"9999":497,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N03S4L03AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1757,"14+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N03S2L07GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1757,"14+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N03S2L07GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: