品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
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功率:3.3W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
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漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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ECCN:EAR99
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规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
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功率:3.3W
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功率:3.3W
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
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功率:3.3W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
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导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
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输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
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功率:4W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
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功率:4W
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_BE3
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功率:3.3W
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
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功率:4W
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连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:3.3W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1020pF@25V
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
导通电阻:35mΩ@5.9A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
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