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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
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功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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