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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD70N03
功率：62.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：62.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.1mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
功率：350mW
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：600pC@4.5V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3402
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P02013R-G
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@4V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD70N03
功率：62.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：62.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.1mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
功率：350mW
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：600pC@4.5V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
