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    漏源电压: 30V
    阈值电压: 2.1V@1mA
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2001pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2001pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M17-30EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M17-30EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M17-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:725pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R1-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R1-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R1-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3065pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.3mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":50,"13+":4442,"9999":275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R2-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2467pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M17-30EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M17-30EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M17-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:725pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R2-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2467pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL,L1Q 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL,L1Q 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订315个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订315个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R2-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2467pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR6503PL1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R2-30EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R2-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2467pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K5R6-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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