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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3100pF@15V
类型：N沟道
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB1
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：72nC@10V
功率：2W€20W
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：18A€39A
阈值电压：2.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF014N03TL
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
漏源电压：30V
功率：800mW
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：2nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035BNTCL
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3.5A，10V
栅极电荷：6nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
输入电容：250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
功率：600mW
导通电阻：134mΩ@2A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1100pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：5.5A
功率：1.25W
输入电容：355pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
功率：3W€22.9W
栅极电荷：10nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：15A
输入电容：590pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：2W€15W
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：5.5A
功率：1.25W
输入电容：355pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：1900pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
连续漏极电流：13A
导通电阻：6mΩ@13A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035BNTCL
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3.5A，10V
栅极电荷：6nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
输入电容：250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035BNTCL
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3.5A，10V
栅极电荷：6nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
输入电容：250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP030N03T100
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：3A
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：120mΩ@3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
输入电容：420pF@15V
类型：N沟道
功率：2W€15W
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035N03HZGTR
输入电容：290pF@10V
栅极电荷：7.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：3.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
输入电容：720pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：3W€23W
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：5.5A
功率：1.25W
输入电容：355pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
栅极电荷：113nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：4200pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
输入电容：5100pF@15V
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：16.8nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1080pF@15V
功率：3W€25.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：16A
功率：2W
输入电容：2550pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
功率：3W€30W
输入电容：5100pF@15V
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1100pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：2W€15W
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
功率：600mW
导通电阻：134mΩ@2A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
