品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8650pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: