采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC5018SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：17A€32A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6912A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS015P03P8ZTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.66W€33.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：13.4A€47.6A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：420，"22+"：2900，"23+"：5491，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7678
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@15V
连续漏极电流：17.5A€26A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7200
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：6A€8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8858CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：8.6A€7.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：17mΩ@8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5565pF@15V
连续漏极电流：25A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA530PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：42200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
