采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C87NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.9A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C87NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.9A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C87NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.9A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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