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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.84W€161W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10144pF@15V

    连续漏极电流:49A€319A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:993pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD17NF03LT4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF03LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N03LGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N03LGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.84W€161W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10144pF@15V

    连续漏极电流:49A€319A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1 起订1924个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS105N03LGAKMA1 起订1924个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订702个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N03LGXKSA1 起订702个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD210 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD210 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD210

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€150W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@15V

    连续漏极电流:23A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NWFTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4909N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":6150}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4909N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.37W€29.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1314pF@15V

    连续漏极电流:8.8A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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