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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@15V

    连续漏极电流:12.9A€30.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3481EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3481EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40031EL_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40031EL_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4425EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4425EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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