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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2900,"13+":770}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":11480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4809NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.41W€79W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@12V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订1759个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订1759个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":24748}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:19A€156A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.41W€79W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@12V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G 起订502个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G 起订502个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2050,"19+":18900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4959NHT4G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4959NHT4G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4959NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NHT4G 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NHT4G 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":31120,"08+":541121,"MI+":40000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.41W€79W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@12V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":477,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:23A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NAT4G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NAT4G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":2500,"08+":188500,"09+":2200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4969N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NT4G 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NT4G 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2100,"07+":2500,"11+":6200,"12+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979NT4G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979NT4G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":459897}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":48500,"07+":37500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":35,"09+":200,"14+":50000,"16+":7500}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":24748}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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