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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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连续漏极电流：19A€35A
类型：N沟道
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功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH402DN-T1-GE3
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功率：52W€3.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：52W€3.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：52W€3.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：19A€35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：19A€35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
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