销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2670 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:41 nC @ 10 V
漏源电压:30V
功率:2.5W(Ta)
连续漏极电流:18A(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
输入电容:2670 pF @ 15 V
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: