品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.6nC@10V
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@10V,3.1mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: