品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si1416EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
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功率:2.8W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
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ECCN:EAR99
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
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导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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