品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9383MTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€113W
阈值电压:2.4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7305pF@15V
连续漏极电流:22A€160A
类型:P沟道
导通电阻:2.9mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@15V
连续漏极电流:15.2A€28A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E220ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@2mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@15V
连续漏极电流:22A€76A
类型:P沟道
导通电阻:4.1mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: