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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@15V

    连续漏极电流:16A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订479个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订479个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@15V

    连续漏极电流:16A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:479
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
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