品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":937,"23+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.61W€79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:24.7A€116A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@15V
连续漏极电流:16A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7682
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1885pF@15V
连续漏极电流:16A€22A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C55NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C05NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.61W€79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:24.7A€116A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:21.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7682
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1885pF@15V
连续漏极电流:16A€22A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: