采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035N03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035TNTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035N03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035TNTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
