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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-30YLC,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-30YLC,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R1-30YLC,115

    功率:67W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1502pF@15V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N03MSGATMA1 起订1250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7588,"23+":40000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:12A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订3125个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订3125个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订1691个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订1691个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4822-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1226个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1226个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5550,"22+":2500,"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4822-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4822-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03MSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数2000个
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4822-TP 起订数2000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订6300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7692S 起订6300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7692S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€27W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:12.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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