采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7831TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8314PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@100µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5050pF@15V
连续漏极电流：171A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7831TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
