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    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 28nC@10V
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    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4939NTAG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4939NTAG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4939NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1979pF@15V

    连续漏极电流:8.9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4939NTAG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4939NTAG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4939NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1979pF@15V

    连续漏极电流:8.9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS406DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4406A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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