采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0306AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：3405pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0306AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2155}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：3405pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：3405pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@15V
连续漏极电流：16.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@16.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0306AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：10.5A€25A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1932}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7403TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@15V
连续漏极电流：26A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
