品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3421E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3421E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8816EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA2TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个N沟道
导通电阻:28mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:1.9A€2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3421E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3421E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: