采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：4.1A€5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：38035}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0506NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：4.1A€5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2260，"23+"：6790}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0589NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：4.1A€5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4474}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0504NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：21A€72A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3401_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0504NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：21A€72A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0506NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
