品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":60000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2369pF@15V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14924}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5304TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@10V
连续漏极电流:22A€79A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@47A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):30N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":196520}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@10V
连续漏极电流:27A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: