品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:51nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A€25A
输入电容:2.425nF@15V
功率:3.6W€39W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: