采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@5V
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@5V
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
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规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
