品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS780DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS780DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS780DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: