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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
漏源电压：30V
类型：N沟道
输入电容：6810pF@15V
栅极电荷：117nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
连续漏极电流：100A
包装方式：剪切带（CT）
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
类型：N沟道
输入电容：6150pF@15V
栅极电荷：117nC@10V
连续漏极电流：50A
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：2mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
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功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
