品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
功率:15W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.66nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":24036}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4800NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
功率:15W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.66nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
功率:15W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.66nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
功率:15W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.66nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4800NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4800NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:680pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:7.7nC@4.5V
连续漏极电流:50A
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:680pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:7.7nC@4.5V
连续漏极电流:50A
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"2D+":24000}
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
连续漏极电流:20A€50A
漏源电压:30V
功率:15W€35W
输入电容:1.66nF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"2D+":24000}
规格型号(MPN):RJK03P9DPA-00#J5A
连续漏极电流:20A€50A
漏源电压:30V
功率:15W€35W
输入电容:1.66nF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: