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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1280，"14+"：19500，"16+"：16500，"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2260000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2260000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1280，"14+"：19500，"16+"：16500，"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
