品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2633}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0306AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2935}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:19A€21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7658AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€89W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@15V
连续漏极电流:29A€70A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":937,"23+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6120pF@15V
连续漏极电流:26A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN100-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0300S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@15V
连续漏极电流:31A€49A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@15V
连续漏极电流:14.8A€18A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8678S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:15A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0309AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:21A€49A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: