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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@15V

    连续漏极电流:16A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:681
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:7500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7672
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@15V

    连续漏极电流:19A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR468DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR468DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.7mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@15V

    连续漏极电流:16A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3004LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3004LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@15V

    连续漏极电流:16A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR468DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR468DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5.7mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:1720pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:40A

    功率:5W€50W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7672
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7672

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:19A€28A

    输入电容:2960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:5mΩ@19A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:2.5W€5.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:6.2mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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